IXA12IF1200PB, Транзистор IGBT, Planar, 1,2кВ, 13А, 85Вт, TO220-3

Фото 1/4 IXA12IF1200PB, Транзистор IGBT, Planar, 1,2кВ, 13А, 85Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
980 руб.
от 3 шт.870 руб.
от 10 шт.677 руб.
от 50 шт.566.24 руб.
1 шт. на сумму 980 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002635996
Артикул: IXA12IF1200PB
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Описание Транзистор IGBT, Planar, 1,2кВ, 13А, 85Вт, TO220-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 20 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +125 °C
Maximum Power Dissipation 85 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-220
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 2.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXA12IF1200PB
pdf, 152 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов