IXFH86N30T, Транзистор N-MOSFET, 300В, 86А, 860Вт, TO247-3
![Фото 1/2 IXFH86N30T, Транзистор N-MOSFET, 300В, 86А, 860Вт, TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758073.jpg)
3 050 руб.
от 3 шт. —
2 430 руб.
от 10 шт. —
1 960 руб.
1 шт.
на сумму 3 050 руб.
Плати частями
от 764 руб. × 4 платежа
от 764 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор N-MOSFET, 300В, 86А, 860Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 86A |
Drain-source voltage | 300V |
Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Gate charge | 143nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 46mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 860W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 6.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 182 КБ