AS4C32M16SB-7TCN, IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0?70°C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 220 руб.
от 5 шт. —
3 700 руб.
от 25 шт. —
3 100 руб.
от 108 шт. —
2 294.12 руб.
1 шт.
на сумму 4 220 руб.
Плати частями
от 1 055 руб. × 4 платежа
от 1 055 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемы
Описание Микросхема памяти AS4C32M16SB-7TCN от производителя ALLIANCE MEMORY представляет собой высококачественный SDRAM-модуль, реализованный в форм-факторе TSOP54 для поверхностного монтажа (SMD). Этот чип обеспечивает емкость памяти 512 Мбит при рабочей частоте 143 МГц, что позволяет достигать высокой производительности в широком спектре применений. Модуль характеризуется стабильным питанием, поддерживая минимальное и максимальное напряжение в 3,3 вольта. Идеальное решение для систем, требующих надежной и быстрой памяти. Приобретая AS4C32M16SB7TCN, вы получаете гарантию качества от известного производителя и оптимальное решение для своих технологических задач. Характеристики | Категория | Микросхема |
| Тип | памяти |
| Вид | SDRAM |
| Монтаж | SMD |
| Частота, МГц | 143 |
| Объем памяти | 512Мбит |
| Мин.напряжение питания, В | 3.3 |
| Макс.напряжение питания, В | 3.3 |
| Корпус | TSOP54 |
Технические параметры
| Access Time | 5.4ns |
| Clock Frequency | 143MHz |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0028 |
| Memory Format | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 512Mb (32M x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 0В°C ~ 70В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 54-TSOP II |
| Technology | SDRAM |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 14ns |
| Address Bus Width | 13bit |
| Data Bus Width | 16bit |
| Data Rate | 200MHz |
| Maximum Operating Supply Voltage | 3.6 V |
| Maximum Operating Temperature | +70 °C |
| Maximum Random Access Time | 5.4ns |
| Minimum Operating Supply Voltage | 3 V |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C |
| Number of Bits per Word | 16bit |
| Number of Words | 32 M |
| Organisation | 32M x 16 |
| Package Type | TSOP |
| Pin Count | 54 |
| SDRAM Class | DDR |
| Width | 10.29mm |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
