WML12N80M3, Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 12А; 31Вт
![WML12N80M3, Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 12А; 31Вт](https://static.chipdip.ru/lib/122/DOC035122241.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
208 шт., срок 6 недель
420 руб.
от 5 шт. —
340 руб.
от 25 шт. —
259 руб.
от 100 шт. —
218.40 руб.
1 шт.
на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 12А; 31Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO220FP |
Drain current | 12A |
Drain-source voltage | 800V |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | WAYON |
Mounting | THT |
On-state resistance | 620mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 31W |
Technology | WMOS™ M3 |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 2.18 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 594 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.