IXGH24N170, Транзистор БТИЗ, 1700В 50A 250Вт TO247AD

Фото 1/3 IXGH24N170, Транзистор БТИЗ, 1700В 50A 250Вт TO247AD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 030 руб.
от 3 шт.4 150 руб.
1 шт. на сумму 5 030 руб.
Плати частями
от 1 259 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002663440
Артикул: IXGH24N170
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1700V 3.3 V Rds

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 250 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 21.46 mm
Диапазон рабочих температур 55 C to + 150 C
Длина 16.26 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток 50 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 150 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXGH24N170
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247AD-3
Ширина 5.3 mm
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1700 V
Maximum Continuous Collector Current 50 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-247AD
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 6.08

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 101 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов