AOK50B60D1, Транзистор IGBT, 600В, 50А, 125Вт, TO247, Eвыкл 0,5мДж
![AOK50B60D1, Транзистор IGBT, 600В, 50А, 125Вт, TO247, Eвыкл 0,5мДж](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 260 руб.
от 3 шт. —
1 090 руб.
от 10 шт. —
863 руб.
от 80 шт. —
729.19 руб.
1 шт.
на сумму 1 260 руб.
Плати частями
от 315 руб. × 4 платежа
от 315 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
Case | TO247 |
Collector current | 50A |
Collector-emitter saturation voltage | 1.85V |
Collector-emitter voltage | 600V |
Gate charge | 64nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Mounting | THT |
Power dissipation | 125W |
Pulsed collector current | 168A |
Turn-off switching energy | 0.5mJ |
Turn-off time | 104ns |
Turn-on switching energy | 2.37mJ |
Turn-on time | 98ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet AOK50B60D1
pdf, 714 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов