IXBT10N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 140Вт, TO268
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 850 руб.
от 3 шт. —
2 260 руб.
от 10 шт. —
1 920 руб.
1 шт.
на сумму 2 850 руб.
Плати частями
от 714 руб. × 4 платежа
от 714 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 140Вт, TO268 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Вес, г | 4 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
