UT6MA2TCR
![UT6MA2TCR](https://static.chipdip.ru/lib/986/DOC025986412.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
130 руб.
от 10 шт. —
116 руб.
2 шт.
на сумму 360 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Transistor MOSFET Array N-CH/P-CH 30V 4A 8-Pin DFN2020 Emboss T/R
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 4(A) |
Drain-Source On-Volt | 30(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 2 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | HUML EP |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 8 |
Polarity | N/P |
Power Dissipation | 2(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Channel Type | N, P |
Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2368 КБ
Документация
pdf, 2423 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.