C3M0280090D, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 7,5А, 54Вт, TO247-3, SiC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 6 недель
1 540 руб.
от 3 шт. —
1 340 руб.
от 10 шт. —
1 050 руб.
1 шт.
на сумму 1 540 руб.
Плати частями
от 385 руб. × 4 платежа
от 385 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор полевой N-MOSFET C3M0280090D от Wolfspeed представляет собой высокомощный компонент в корпусе TO247-3 для монтажа THT. Отличается током стока 7,5 А, напряжением сток-исток 900 В и мощностью 54 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,28 Ом, что обеспечивает высокую эффективность в работе. Этот транзистор идеально подходит для применения в различных областях, где требуется надежное и эффективное управление мощностью. Используя C3M0280090D в вашем проекте, вы получаете продукт от известного производителя Wolfspeed, гарантирующего долговечность и стабильность работы. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 7.5 |
Напряжение сток-исток, В | 900 |
Мощность, Вт | 54 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.28 |
Корпус | TO247-3 |
Технические параметры
Brand | Wolfspeed/Cree |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 30 |
Fall Time | 7.5 ns |
Height | 21.1 m |
Id - Continuous Drain Current | 11.5 A |
Length | 16.13 mm |
Manufacturer | Cree, Inc. |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 54 W |
Product | Power MOSFET |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 9.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 280 mOhms |
Rise Time | 10 ns |
RoHS | Details |
Technology | SiC |
Transistor Polarity | N-Channel |
Type | Silicon Carbide MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 17.5 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 26 ns |
Unit Weight | 1.340411 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.1 V |
Width | 5.21 mm |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 4.8V |
Maximum Continuous Drain Current | 11.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 360 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +18 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Maximum Power Dissipation | 54 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 9.5 nC @ 15 V |
Вес, г | 4.264 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.