CSD25213W10
![CSD25213W10](https://static.chipdip.ru/lib/579/DOC006579373.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
73 руб.
от 10 шт. —
55 руб.
от 100 шт. —
37.63 руб.
2 шт.
на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, gate ESD protection 4-DSBGA -55 to 150
Технические параметры
Brand | Texas Instruments |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single Channel |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 970 ns |
Id - Continuous Drain Current | -1.6 A |
Manufacturer | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | DSBGA-4 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 1 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 2.2 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 47 mOhms |
Rise Time | 520 ns |
RoHS | Details |
Series | CSD25213W10 |
Technology | Si |
Tradename | NexFET |
Transistor Polarity | P-Channel |
Transistor Type | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 1 us |
Typical Turn-On Delay Time | 510 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | -6 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -850 mV |
Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Qg - заряд затвора | 2.2 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 67 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 850 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 520 ns |
Время спада | 970 ns |
Высота | 0.62 mm |
Длина | 1 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | CSD25213W10 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 1 us |
Типичное время задержки при включении | 510 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | DSBGA-4 |
Ширина | 1 mm |
Base Product Number | CSD25213 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.6A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 478pF @ 10V |
Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 1A, 4.5V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 4-DSBGA (1x1) |
Vgs (Max) | -6V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250ВµA |
Техническая документация
Datasheet CSD25213W10
pdf, 1281 КБ
Datasheet CSD25213W10
pdf, 686 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов