IXBT16N170AHV, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO268HV
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 280 руб.
от 3 шт. —
3 730 руб.
от 10 шт. —
3 050 руб.
1 шт.
на сумму 4 280 руб.
Плати частями
от 1 070 руб. × 4 платежа
от 1 070 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO268HV Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO268HV |
| Collector current | 10A |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Gate charge | 65nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| Power dissipation | 150W |
| Pulsed collector current | 40A |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Turn-off time | 370ns |
| Turn-on time | 43ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 3.94 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 171 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
