ECH8420-TL-H
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
от 2 шт. —
250 руб.
от 10 шт. —
201 руб.
1 шт.
на сумму 320 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, MOSFET
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14A(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2430pF @ 10V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 7A, 4.5V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | 8-ECH |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | ECH8420 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | ECH-8 |
Техническая документация
Datasheet ECH8420-TL-H
pdf, 325 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
