FCP104N60F
![FCP104N60F](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356289.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 570 руб.
от 2 шт. —
1 430 руб.
от 5 шт. —
1 330 руб.
от 10 шт. —
1 266.25 руб.
1 шт.
на сумму 1 570 руб.
Плати частями
от 394 руб. × 4 платежа
от 394 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET II, FRFET, 600 V, 37 A, 104 mohm, TO-220
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 37(A) |
Drain-Source On-Volt | 600(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | TO-220 |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3+Tab |
Polarity | N |
Power Dissipation | 357(W) |
Rad Hardened | No |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 37 A |
Maximum Drain Source Resistance | 104 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 357 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Series | SuperFET II |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Width | 4.672mm |
Вес, г | 2 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов