FDMC86160ET100
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
690 руб.
от 2 шт. —
580 руб.
от 5 шт. —
501 руб.
от 10 шт. —
466.25 руб.
1 шт.
на сумму 690 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 43A, 100V, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:43A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0112ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.9V; Power Dissipation Pd:65W; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:PowerTrench Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9A(Ta), 43A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 50V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W(Ta), 65W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9A, 10V |
| Series | PowerTrenchВ® |
| Supplier Device Package | Power33 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 3.4 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 43 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 43 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | Power-33-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 54 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms |
| Rise Time: | 3.6 ns |
| Series: | FDMC86160ET100 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench Power Clip |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0112Ом |
| Power Dissipation | 65Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 43А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.9В |
| Рассеиваемая Мощность | 65Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0112Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
