FDP150N10A-F102
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 руб.
от 2 шт. —
630 руб.
от 5 шт. —
549 руб.
от 8 шт. —
515 руб.
1 шт.
на сумму 750 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 50A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:91W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:PowerTrench Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1440pF @ 50V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 91W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 50A, 10V |
| Series | PowerTrenchВ® |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Pd - рассеивание мощности | 91 W |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 16.3 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Другие названия товара № | FDP150N10A_F102 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Серия | FDP150N10A |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0125Ом |
| Power Dissipation | 91Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 91Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0125Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FDP150N10A-F102
pdf, 889 КБ
Datasheet FDP150N10A-F102
pdf, 892 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
