FQA13N80-F109
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 560 руб.
от 2 шт. —
1 430 руб.
от 5 шт. —
1 320 руб.
от 10 шт. —
1 262.50 руб.
1 шт.
на сумму 1 560 руб.
Плати частями
от 390 руб. × 4 платежа
от 390 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Single N-Channel 800 V 0.75 Ohm 88 nC 300 W DMOS Flange Mount Mosfet - TO-3PN
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12.6A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 6.3A, 10V |
| Series | QFETВ® |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 12.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 750 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 150 ns |
| Время спада | 110 ns |
| Высота | 20.1 mm |
| Длина | 16.2 mm |
| Другие названия товара № | FQA13N80_F109 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | QFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Серия | FQA13N80_F109 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 155 ns |
| Типичное время задержки при включении | 60 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
| Ширина | 5 mm |
| Вес, г | 6.401 |
Техническая документация
Datasheet FQA13N80-F109
pdf, 2130 КБ
Документация
pdf, 2135 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
