FCB11N60TM

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

950 руб.

от 2 шт. — 830 руб.

от 5 шт. — 750 руб.

1 шт. на сумму 950 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8002978560

Электроэлемент

Power Field-Effect Transistor, 11A, 600V, 0.38ohm, N-Channel, MOSFET, TO-263

Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	11A
Maximum Drain Source Resistance	0.38?
Maximum Drain Source Voltage	600V
Maximum Gate Source Voltage	±30V
Minimum Operating Temperature	-55°C
Number of Elements per Chip	1
Pin Count	3
Product Height	4.83mm
Product Length	10.67mm
Product Width	9.65mm
Supplier Package	D2PAK
Typical Fall Time	56ns
Typical Rise Time	98ns
Typical Turn-Off Delay Time	119ns
Typical Turn-On Delay Time	34ns
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	150°C
монтаж (установка)	Surface Mount
разрешение	Power MOSFET
Channel Type	N
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	125 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	D2PAK(TO-263)
Series	SuperFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	40 nC @ 10 V
Width	9.65mm
Вес, г	1.312