IXBH9N160G
![IXBH9N160G](https://static.chipdip.ru/lib/194/DOC007194893.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
1 490 руб.
от 2 шт. —
1 350 руб.
от 5 шт. —
1 250 руб.
1 шт.
на сумму 1 490 руб.
Плати частями
от 374 руб. × 4 платежа
от 374 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,6кВ, 5А, 100Вт, TO247-3
Технические параметры
Вес, г | 8.46 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.