HGTG40N60A4
![Фото 1/3 HGTG40N60A4](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/051/DOC019051643.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/734/DOC034734890.jpg)
1 250 руб.
1 шт.
на сумму 1 250 руб.
Плати частями
от 314 руб. × 4 платежа
от 314 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 63А, 625Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 75 A |
Continuous Collector Current at 25 C | 75 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 75 A |
Factory Pack Quantity | 30 |
Gate-Emitter Leakage Current | +/-250 nA |
Height | 20.82 mm |
Length | 15.87 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | HGTG40N60A4_NL |
Pd - Power Dissipation | 625 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | HGTG40N60A4 |
Technology | Si |
Unit Weight | 0.225401 oz |
Width | 4.82 mm |
Вес, г | 7.83 |
Техническая документация
Документация
pdf, 254 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов