2N7002EG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
95 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
41 руб.
от 10 шт. —
24 руб.
от 100 шт. —
9 руб.
2 шт.
на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 60V, 310MA, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:310mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.86ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; P
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 0.26(A) |
| Drain-Source On-Res | 2.5(ohm) |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | SOT-23 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 0.42(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Small Signal |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.86Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 310мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Рассеиваемая Мощность | 420мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.86Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | onsemi |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 3.6 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 530 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 310 mA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 420 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 810 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 Ohms |
| Rise Time: | 1.2 ns |
| Series: | 2N7002E |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 4.8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 199 КБ
Datasheet 2N7002E
pdf, 131 КБ
Datasheet 2N7002ET1G
pdf, 88 КБ
Документация
pdf, 199 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
