FDN327N
![Фото 1/4 FDN327N](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735666.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC021413223.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/340/DOC030340448.jpg)
200 руб.
от 2 шт. —
120 руб.
от 3 шт. —
82 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 2А, 500мВт, SuperSOT-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 6.5 ns |
Forward Transconductance - Min | 11 S |
Height | 1.12 mm |
Id - Continuous Drain Current | 2 A |
Length | 2.9 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SSOT-3 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | FDN327N_NL |
Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
Product | MOSFET Small Signal |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 40 mOhms |
Rise Time | 6.5 ns |
RoHS | Details |
Series | FDN327N |
Technology | Si |
Tradename | PowerTrench |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
Unit Weight | 0.001058 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
Width | 1.4 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов