FDS6912A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
160 руб.
от 10 шт. —
137 руб.
от 38 шт. —
118.75 руб.
2 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой FDS6912A производства ONSEMI - это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Он обладает током стока 6 А и напряжением сток-исток 30 В, что делает его идеальным выбором для различных электронных применений. Мощность устройства составляет 1,6 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,028 Ом, обеспечивает эффективную работу и экономию энергии. Корпус SO8 обеспечивает компактное исполнение и лёгкость интеграции в электронные схемы. Для приобретения этого надежного компонента используйте код FDS6912A. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 6 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 1.6 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.028 |
| Корпус | SO8 |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Family | Transistors-FETs, MOSFETs-Arrays |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel(Dual) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.1nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 575pF @ 15V |
| Manufacturer | Fairchild Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Series | PowerTrench® |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 44 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Width | 4mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | FDS6912A_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Qg - Gate Charge: | 8.1 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Series: | FDS6912A |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.223 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
