FQP17P06

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

550 руб.

от 2 шт. — 450 руб.

от 5 шт. — 368 руб.

от 73 шт. — 357.93 руб.

1 шт. на сумму 550 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8002983485

Электроэлемент

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -12А, 79Вт, TO220АВ Характеристики

Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	17A
Maximum Drain Source Resistance	0.12?
Maximum Drain Source Voltage	60V
Maximum Gate Source Voltage	±25V
Minimum Operating Temperature	-55°C
Number of Elements per Chip	1
Pin Count	3
Product Height	9.2mm
Product Length	9.9mm
Product Width	4.5mm
Supplier Package	TO-220
Typical Fall Time	60ns
Typical Rise Time	100ns
Typical Turn-Off Delay Time	22ns
Typical Turn-On Delay Time	13ns
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	175°C
монтаж (установка)	Through Hole
разрешение	Power MOSFET
Channel Type	P
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	79 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220AB
Series	QFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	21 nC @ 10 V
Width	4.7mm
Вес, г	3.5