FDMS7682
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
от 2 шт. —
390 руб.
от 10 шт. —
332 руб.
1 шт.
на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Power Field-Effect Transistor, 16A, 30V, 0.0063ohm, N-Channel, MOSFET, MO-240AA
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 16(A) |
Drain-Source On-Volt | 30(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | PQFN EP |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 8 |
Polarity | N |
Power Dissipation | 2.5(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 10 ns |
Forward Transconductance - Min: | 70 S |
Id - Continuous Drain Current: | 22 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | Power-56-8 |
Pd - Power Dissipation: | 33 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 9.9 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.3 mOhms |
Rise Time: | 10 ns |
Series: | FDMS7682 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerTrench |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
Вес, г | 0.074 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 416 КБ
Документация
pdf, 418 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов