FQD19N10LTM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
120 руб.
от 10 шт. —
95 руб.
от 100 шт. —
75.13 руб.
2 шт.
на сумму 360 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 9,8А, 50Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 15.6A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 25V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 50W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 7.8A, 10V |
| Series | QFETВ® |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Case | DPAK |
| Drain current | 9.8A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 18nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.11Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 50W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 15.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 5 V |
| Width | 6.1mm |
| Вес, г | 0.3856 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1433 КБ
Datasheet
pdf, 245 КБ
Datasheet
pdf, 688 КБ
Документация
pdf, 1451 КБ
FQD19N10L
pdf, 1406 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
