FDV304P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
51 руб.
от 10 шт. —
34 руб.
от 100 шт. —
19.91 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой FDV304P производства ONSEMI обеспечивает высокую эффективность для широкого спектра электронных устройств, благодаря своим техническим характеристикам. Модель представлена в компактном SMD-корпусе типа SOT23, что позволяет легко интегрировать её в различные печатные платы. С током стока 1,5 А и напряжением сток-исток 25 В, этот N-MOSFET транзистор идеально подходит для работы в разнообразных схемах, требующих эффективного управления мощностью, которая составляет 0,35 Вт. Используя FDV304P, можно добиться стабильной работы и надежности ваших электронных проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 1.5 |
| Напряжение сток-исток, В | 25 |
| Мощность, Вт | 0.35 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Max Processing Temp | 260 |
| Maximum Continuous Drain Current | 0.46 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 8 V |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| RDS-on | 1100@4.5V mOhm |
| Typical Fall Time | 35 ns |
| Typical Rise Time | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 0.8 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 460 mA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | FDV304P_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Qg - Gate Charge: | 1.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.1 Ohms |
| Rise Time: | 8 ns |
| Series: | FDV304P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Вес, г | 0.0313 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
