FDD8451

FDD8451
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.200 руб.
от 10 шт.169 руб.
от 12 шт.161.28 руб.
2 шт. на сумму 520 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002985038

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N CH, 40V, 28A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V; Power Dissipation Pd:30W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Continuous Drain Current 28(A)
Drain-Source On-Volt 40(V)
Gate-Source Voltage (Max) '±20(V)
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Package Type DPAK
Packaging Tape and Reel
Pin Count 2+Tab
Polarity N
Power Dissipation 30(W)
Rad Hardened No
Type Power MOSFET
Case DPAK
Drain current 28A
Drain-source voltage 40V
Gate-source voltage ±20V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer ONSEMI
On-state resistance 41mΩ
Polarisation unipolar
Technology PowerTrench®
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 10

Техническая документация

Документация
pdf, 456 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов