FDS6294
![Фото 1/2 FDS6294](https://static.chipdip.ru/lib/750/DOC043750274.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/447/DOC004447557.jpg)
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
120 руб.
от 8 шт. —
96 руб.
2 шт.
на сумму 340 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 13А, 3Вт, SO8 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 13A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.0113? |
Maximum Drain Source Voltage | 30V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20V |
Minimum Operating Temperature | -55°C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Pin Count | 8 |
Product Height | 1.5mm |
Product Length | 5mm |
Product Width | 3.99mm |
Supplier Package | SOIC |
Typical Fall Time | 6ns |
Typical Rise Time | 4ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 24ns |
Typical Turn-On Delay Time | 9ns |
конфигурация | Single; Quad Drain, Triple Source |
максимальная рабочая температура | 175°C |
монтаж (установка) | Surface Mount |
разрешение | Power MOSFET |
Вес, г | 0.2 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов