FQS4901TF
![FQS4901TF](https://static.chipdip.ru/lib/748/DOC043748619.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
880 руб.
от 2 шт. —
750 руб.
от 3 шт. —
699 руб.
1 шт.
на сумму 880 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 400В, 0,45А, 2Вт, SO8 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Lead Finish | Matte Tin |
Max Processing Temp | 260 |
Maximum Continuous Drain Current | 0.45 A |
Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
RDS-on | 4200@10V mOhm |
Typical Fall Time | 35 ns |
Typical Rise Time | 20 ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
Вес, г | 0.187 |
Техническая документация
Документация
pdf, 815 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов