IRFM120ATF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 руб.
от 2 шт. —
210 руб.
1 шт.
на сумму 310 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 2.3A, SOT-223-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; P
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 2.3(A) |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | SOT-223 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 2.4(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.2Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 2.3А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Fall Time: | 28 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 5.7 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Part # Aliases: | IRFM120ATF_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 200 mOhms |
| Rise Time: | 14 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.21 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 374 КБ
Datasheet IRFM120ATF
pdf, 269 КБ
Datasheet IRFM120ATF
pdf, 414 КБ
Документация
pdf, 296 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
