FDT86102LZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 руб.
от 2 шт. —
560 руб.
1 шт.
на сумму 630 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 100V, 6.6A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.6A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.4V; Power Dissipation Pd:2.2W; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:PowerTrench Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pulse Current Idm:40A; Voltage Vgs th Max:3V
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 46 m |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Pin Count | 4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC V @ 0 > 10 |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 1118 pF V @ 50 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.6 ns |
| высота | 1.7mm |
| длина | 3.7mm |
| конфигурация | Dual Drain |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.2 W |
| размеры | 3.7x6.7x1.7mm |
| разрешение | Power MOSFET |
| тип монтажа | Surface Mount |
| тип упаковки | SOT-223 |
| ширина | 6.7mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.2 W |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 26 S |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Серия | FDT86102LZ |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.022Ом |
| Power Dissipation | 2.2Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 6.6А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.4В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.2Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.022Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 361 КБ
Datasheet FDT86102LZ
pdf, 359 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
