FDT458P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
80 руб.
от 10 шт. —
61 руб.
от 23 шт. —
49.15 руб.
2 шт.
на сумму 280 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -3,4А, 3Вт, SOT223 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.4A(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 205pF @ 15V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Series | PowerTrenchВ® |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Документация
pdf, 274 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
