FQA24N60
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 320 руб.
от 2 шт. —
1 200 руб.
от 5 шт. —
1 100 руб.
от 10 шт. —
1 046.25 руб.
1 шт.
на сумму 1 320 руб.
Плати частями
от 330 руб. × 4 платежа
от 330 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой FQA24N60 от ONSEMI – это высокоэффективный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия типа THT. Способный работать с током стока до 23,5 А и напряжением сток-исток до 600 В, этот транзистор обладает мощностью 310 Вт, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Корпус TO3PN обеспечивает надежную работу и удобство монтажа. Воспользуйтесь преимуществами FQA24N60 для улучшения производительности ваших электронных схем. Продукт FQA24N60 сочетает в себе высокие технические характеристики и качество, характерное для продукции ONSEMI. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 23.5 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 310 |
| Корпус | TO3PN |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Maximum Continuous Drain Current | 23.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| RDS-on | 240@10V mOhm |
| Typical Fall Time | 170 ns |
| Typical Rise Time | 270 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 200 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 90 ns |
| Maximum Drain Source Resistance | 240 mΩ |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 310 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-3PN |
| Pin Count | 3 |
| Series | QFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Width | 5mm |
| Case | TO3PN |
| Drain current | 14.9A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 145nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | ONSEMI |
| On-state resistance | 0.24Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 310W |
| Technology | QFET® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2041 КБ
Документация
pdf, 1639 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
