2N7002KW

Фото 1/3 2N7002KW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.56 руб.
от 10 шт.39 руб.
от 11 шт.36.10 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002989039

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT-323-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:310mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V;

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 310mA(Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Packaging Tape & Reel(TR)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 350mW(Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Series -
Supplier Device Package SC-70(SOT323)
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250ВµA
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 300 mA
Maximum Drain Source Resistance 4.8 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 350 mW
Minimum Gate Threshold Voltage 1.1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Width 1.3mm
Вес, г 0.05

Техническая документация

2N7002KW
pdf, 124 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N7002KW
pdf, 282 КБ
Документация
pdf, 403 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов