ECH8310-TL-H
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
от 2 шт. —
250 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 340 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, -30V, -9A, SOT-28FL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-9A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-; Power Dissipation Pd:1.5W; Transistor Case Style:SOT-28FL; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 9(A) |
| Drain-Source On-Volt | 30(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | ECH |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Polarity | P |
| Power Dissipation | 1.5(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 17 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.6V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Width | 2.3mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Документация
pdf, 1009 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
