FDMS8622
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 020 руб.
от 2 шт. —
900 руб.
от 5 шт. —
812 руб.
от 10 шт. —
771.25 руб.
1 шт.
на сумму 1 020 руб.
Плати частями
от 255 руб. × 4 платежа
от 255 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 16.5A, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:31W; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:PowerTrench Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.8A(Ta), 16.5A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 50V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 31W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 4.8A, 10V |
| Series | PowerTrenchВ® |
| Supplier Device Package | 8-PQFN(5x6) |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 45 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 1.7 ns |
| Время спада | 2.1 ns |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 6 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9 S |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | FDMS8622 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | Power-56-8 |
| Ширина | 5 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.045Ом |
| Power Dissipation | 31Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 16.5А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 31Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.045Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
