FQP17N40

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 160 руб.

от 2 шт. — 1 030 руб.

от 3 шт. — 967 руб.

1 шт. на сумму 1 160 руб.

Плати частями
от 290 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8002989336

Электроэлемент

Описание Транзистор: N-MOSFET; 400В; 10,1А; 170Вт; TO220 Характеристики

Channel Mode	Enhancement
Continuous Drain Current	16(A)
Drain-Source On-Volt	400(V)
Gate-Source Voltage (Max)	±30(V)
Mounting	Through Hole
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-55C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Package Type	TO-220
Packaging	Rail/Tube
Pin Count	3+Tab
Polarity	N
Power Dissipation	170(W)
Rad Hardened	No
Type	Power MOSFET
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	16 A
Maximum Drain Source Resistance	270 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	400 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	170 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Series	QFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	45 nC @ 10 V
Width	4.7mm
Вес, г	2.94