Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › HUF75852G3

HUF75852G3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 660 руб.

1 шт. на сумму 3 660 руб.

Плати частями
от 915 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8002989656

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:500W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi HUF75852G3.

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Lead Finish	Matte Tin
Maximum Continuous Drain Current	75 A
Maximum Drain Source Voltage	150 V
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Mounting	Through Hole
Operating Temperature	-55 to 175 °C
RDS-on	16@10V mOhm
Typical Fall Time	107 ns
Typical Rise Time	151 ns
Typical Turn-Off Delay Time	82 ns
Typical Turn-On Delay Time	22 ns
Id - непрерывный ток утечки	75 A
Pd - рассеивание мощности	500 W
Qg - заряд затвора	480 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	16 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	150 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	151 ns
Время спада	107 ns
Высота	20.82 mm
Длина	15.87 mm
Другие названия товара №	HUF75852G3_NL
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	UltraFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	450
Серия	HUF75852G3
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	82 ns
Типичное время задержки при включении	22 ns
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Ширина	4.82 mm
Вес, г	6.39