FDS3580
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
510 руб.
от 2 шт. —
410 руб.
от 5 шт. —
339 руб.
от 10 шт. —
312.48 руб.
1 шт.
на сумму 510 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A, 80V, N-Channel, MOSFET
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.6 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 29@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 80 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 8 |
Pin Count | 8 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SO |
Supplier Package | SOIC |
Typical Fall Time (ns) | 16 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 34 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 34@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1800@25V |
Typical Rise Time (ns) | 8 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 34 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 236 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов