FDS3580

FDS3580
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
510 руб.
от 2 шт.410 руб.
от 5 шт.339 руб.
от 10 шт.312.48 руб.
1 шт. на сумму 510 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002989829

Описание

Электроэлемент
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A, 80V, N-Channel, MOSFET

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Quad Drain Triple Source
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 7.6
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 29@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 80
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 2500
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 8
Pin Count 8
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SO
Supplier Package SOIC
Typical Fall Time (ns) 16
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 34
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 34@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1800@25V
Typical Rise Time (ns) 8
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 34
Typical Turn-On Delay Time (ns) 13
Вес, г 0.25

Техническая документация

Datasheet
pdf, 236 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов