FDMC8321L
![FDMC8321L](https://static.chipdip.ru/lib/683/DOC018683748.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 руб.
от 2 шт. —
520 руб.
от 10 шт. —
493 руб.
от 100 шт. —
455.10 руб.
1 шт.
на сумму 620 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 49A, 40V, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; Power
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 22A(Ta), 49A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 20V |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 2.3W(Ta), 40W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 22A, 10V |
Series | PowerTrenchВ® |
Supplier Device Package | Power33 |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250ВµA |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Id - Continuous Drain Current: | 49 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | Power-33-8 |
Pd - Power Dissipation: | 40 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 61 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 mOhms |
REACH - SVHC: | Details |
Series: | FDMC8321L |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 365 КБ
Datasheet FDMC8321L
pdf, 366 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов