FDP8896
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
470 руб.
от 2 шт. —
380 руб.
1 шт.
на сумму 470 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Power Field-Effect Transistor, 80A, 30V, 0.007ohm, N-Channel, MOSFET, TO-220AB
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 16A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.0059? |
Maximum Drain Source Voltage | 30V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20V |
Minimum Operating Temperature | -55°C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Pin Count | 3 |
Product Height | 9.02mm |
Product Length | 10.28mm |
Product Width | 4.57mm |
Supplier Package | TO-220AB |
Typical Fall Time | 44ns |
Typical Rise Time | 103ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 56ns |
Typical Turn-On Delay Time | 9ns |
конфигурация | Single |
максимальная рабочая температура | 175°C |
монтаж (установка) | Through Hole |
разрешение | Power MOSFET |
Channel Type | N |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 80 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220AB |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
Width | 4.83mm |
Вес, г | 1.8 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов