FDP8896

FDP8896
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
470 руб.
от 2 шт.380 руб.
1 шт. на сумму 470 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002990087

Описание

Электроэлемент
Power Field-Effect Transistor, 80A, 30V, 0.007ohm, N-Channel, MOSFET, TO-220AB

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Maximum Continuous Drain Current 16A
Maximum Drain Source Resistance 0.0059?
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Minimum Operating Temperature -55°C
Number of Elements per Chip 1
Pin Count 3
Product Height 9.02mm
Product Length 10.28mm
Product Width 4.57mm
Supplier Package TO-220AB
Typical Fall Time 44ns
Typical Rise Time 103ns
Typical Turn-Off Delay Time 56ns
Typical Turn-On Delay Time 9ns
конфигурация Single
максимальная рабочая температура 175°C
монтаж (установка) Through Hole
разрешение Power MOSFET
Channel Type N
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 80 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1.2V
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-220AB
Series PowerTrench
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 48 nC @ 10 V
Width 4.83mm
Вес, г 1.8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 470 КБ
Документация
pdf, 385 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов