FQD2N60CTM

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

260 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 200 руб.

от 9 шт. — 172 руб.

2 шт. на сумму 520 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8002990123

Электроэлемент

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 1,14А, 44Вт, DPAK Характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	1.9A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 25V
Manufacturer	ON Semiconductor
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Packaging	Cut Tape(CT)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	2.5W(Ta), 44W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7Ohm @ 950mA, 10V
Series	QFETВ®
Supplier Device Package	D-Pak
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id)	2A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	4.3Ω
Drain Source Voltage (Vdss)	650V
Type	N Channel
Вес, г	0.66