FQP20N06
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
570 руб.
от 2 шт. —
460 руб.
от 5 шт. —
384 руб.
от 10 шт. —
354.06 руб.
1 шт.
на сумму 570 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 60V, 20A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:53W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 20A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.06? |
| Maximum Drain Source Voltage | 60V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25V |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Pin Count | 3 |
| Product Height | 9.2mm |
| Product Length | 9.9mm |
| Product Width | 4.5mm |
| Supplier Package | TO-220 |
| Typical Fall Time | 20ns |
| Typical Rise Time | 45ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5ns |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | 175°C |
| монтаж (установка) | Through Hole |
| разрешение | Power MOSFET |
| Channel Type | N |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 53 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220AB |
| Series | QFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11.5 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 1.8 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
