IGW40T120FKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Фото 1/4 IGW40T120FKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
820 руб.
Мин. кол-во для заказа 43 шт.
от 122 шт.790 руб.
от 318 шт.757 руб.
Добавить в корзину 43 шт. на сумму 35 260 руб.
Плати частями
от 8 815 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191777
Артикул: IGW40T120FKSA1

Описание

Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Current - Collector Pulsed (Icm) 105A
Gate Charge 203nC
IGBT Type NPT, Trench Field Stop
Input Type Standard
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power - Max 270W
Series TrenchStopВ®
Supplier Device Package PG-TO247-3
Switching Energy 6.5mJ
Td (on/off) @ 25В°C 48ns/480ns
Test Condition 600V, 40A, 15 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 75 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 270 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Package Type TO-247
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IGW40T120FKSA1
pdf, 299 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов