IKA15N65ET6XKSA2, Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 180 шт.
от 595 шт. —
190 руб.
Добавить в корзину 180 шт.
на сумму 36 000 руб.
Плати частями
от 9 000 руб. × 4 платежа
от 9 000 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Полевой ограничитель для траншеи IGBT, 650 В, 17 А, 45 Вт, сквозное отверстие, PG-TO220-3, полный комплект
Технические параметры
Base Product Number | IKA15N65 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 17A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 57.5A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 37nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Power - Max | 45W |
REACH Status | REACH Unaffected |
Reverse Recovery Time (trr) | 69ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | TrenchStopв„ў -> |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 Full Pack |
Switching Energy | 230ВµJ (on), 110ВµJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 30ns/117ns |
Test Condition | 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 11.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 17(A) |
Configuration | Single |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Through Hole |
Operating Temperature (Max) | 175C |
Operating Temperature (Min) | -40C |
Operating Temperature Classification | Automotive |
Package Type | TO-220FP |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3+Tab |
Rad Hardened | No |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 17А |
Power Dissipation | 45Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP IGBT6 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 34 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 30V |
Maximum Power Dissipation | 35.3 W |
Number of Transistors | 1 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKA15N65ET6XKSA2
pdf, 3294 КБ
Datasheet IKA15N65ET6XKSA2
pdf, 2038 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов