IKW40N120CS6XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Фото 1/4 IKW40N120CS6XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
950 руб.
Мин. кол-во для заказа 37 шт.
от 110 шт.910 руб.
от 287 шт.864 руб.
37 шт. на сумму 35 150 руб.
Плати частями
от 8 789 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8003208792
Артикул: IKW40N120CS6XKSA1

Описание

Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Описание Транзистор IGBT, 1,2кВ, 40А, 250Вт, TO247-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.85 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 80 A
Continuous Collector Current Ic Max: 80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 240
Gate-Emitter Leakage Current: 600 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Part # Aliases: IKW40N120CS6 SP001666622
Pd - Power Dissipation: 500 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: Trenchstop IGBT6
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: TRENCHSTOP
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 40 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 500 W
Number of Transistors 1
Package Type TO-247
Pin Count 3
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Gate Charge 285nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power - Max 500W
Reverse Recovery Time (trr) 400ns
Series TrenchStopв(ў
Supplier Device Package PG-TO247-3-41
Switching Energy 2.55mJ(on), 1.55mJ(off)
Td (on/off) @ 25В°C 27ns/315ns
Test Condition 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 0.4

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов