BC848ALT1G, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
![Фото 1/6 BC848ALT1G, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R](https://static.chipdip.ru/lib/438/DOC004438654.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/121/DOC012121012.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/368/DOC028368912.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/439/DOC004439201.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 9000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 12000 шт. —
4.30 руб.
Добавить в корзину 9000 шт.
на сумму 45 000 руб.
Плати частями
от 11 250 руб. × 4 платежа
от 11 250 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 30V NPN
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.21.00.75 |
PCB changed | 3 |
Package Height | 0.94 |
Mounting | Surface Mount |
Lead Shape | Gull-wing |
Package Width | 1.3 |
Package Length | 2.9 |
Type | NPN |
Product Category | Bipolar Small Signal |
Material | Si |
Configuration | Single |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 30 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
Minimum DC Current Gain | 110@2mA@5V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Supplier Package | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | SOT |
Military | No |
Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.94 mm |
Длина | 2.9 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BC848AL |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 30 V dc |
Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Category | Bipolar Small Signal |
Collector Current (DC) | 0.1(A) |
Collector Current (DC) (Max) | 0.1 A |
Collector-Base Voltage | 30(V) |
Collector-Emitter Voltage | 30(V) |
DC Current Gain | 110 |
DC Current Gain (Min) | 110 |
Emitter-Base Voltage | 5(V) |
Frequency | 100(MHz) |
Frequency (Max) | 100 MHz |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Power Dissipation | 0.3(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | NPN |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем