WMO11N60C2, Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO252
![Фото 1/2 WMO11N60C2, Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO252](https://static.chipdip.ru/lib/605/DOC035605789.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735669.jpg)
2176 шт., срок 6 недель
270 руб.
от 5 шт. —
170 руб.
от 25 шт. —
146 руб.
от 100 шт. —
114.37 руб.
1 шт.
на сумму 270 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Технические параметры
Case | TO252 |
Drain current | 9A |
Drain-source voltage | 600V |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | WAYON |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 0.54Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 63W |
Technology | WMOS™ C2 |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 591 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.