NSBC114YPDXV6T1G, Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

15 руб.

Кратность заказа 4000 шт.

от 12000 шт. — 14 руб.

4000 шт. на сумму 60 000 руб.

Плати частями
от 15 000 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8003316623

Артикул: NSBC114YPDXV6T1G

Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJT

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP

Pd - рассеивание мощности	357 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.55 mm
Длина	1.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80, 140
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	80
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	NSBC114YPDXV6
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	0.21
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-563-6
Ширина	1.2 mm
Вес, г	1