IGW100N60H3FKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 480 руб.
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 68 шт. —
1 430 руб.
от 177 шт. —
1 380 руб.
24 шт.
на сумму 35 520 руб.
Плати частями
от 8 880 руб. × 4 платежа
от 8 880 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
The Infineon IGBT is a high speed IGBT in Trench and Field stop technology. This IGBT has 175 degree Celsius maximum junction temperature and qualified according to JEDEC for target applications.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 140 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 714 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 9.163 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
